Версия для печати
Технические характеристики IRFBE30

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 2.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.1A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	78nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1300pF @ 25V
Power - Max	125W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

IRFBE30 (N-канальные транзисторные модули) Power Mosfet (vdss=800v, Rds (on) =3.0ohm, Id=4.1a) Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFBE30 datasheet 170.72Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRF7309		Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	800	81.60
		IRF7309		Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...		1	60.00
		IRF7309		Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF7309		Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...	МАЛАЙЗИЯ
		IRF7309		Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...	INFINEON
		IRF7309		Сдвоенные N & P-канальные полевые транзисторы (Vds=30V(--30V), Id=4.0A(--3.0A)@t=25C, ...	1
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	VISHAY
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	ST MICROELECTRONICS	26	96.90
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт		2 783	26.59
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	Vishay/Siliconix
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	STMicroelectronics
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	DMS
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	SILICONIX	17
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	КИТАЙ
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	BLUEROCK	92	40.80
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	1
		RES 0603 820K 5%			YAGEO
		К1033ЕУ15АР		ИС управления однотактными ИСН, Usmax=30В, Is=1A, fsmax =500кГц.
		К1033ЕУ15АР		ИС управления однотактными ИСН, Usmax=30В, Is=1A, fsmax =500кГц.	RUS
		К1033ЕУ15АР		ИС управления однотактными ИСН, Usmax=30В, Is=1A, fsmax =500кГц.	СИТ
		К1033ЕУ15АР		ИС управления однотактными ИСН, Usmax=30В, Is=1A, fsmax =500кГц.	НТЦ СИТ
		К1033ЕУ15АР		ИС управления однотактными ИСН, Usmax=30В, Is=1A, fsmax =500кГц.	КРЕМНИЙ	80	198.90
		К1156ЕУ2Р				1	302.40
		К1156ЕУ2Р			НТЦ СИТ
		К1156ЕУ2Р			НТЦ
		К1156ЕУ2Р			РОССИЯ
		К1156ЕУ2Р			СИТ
		К1156ЕУ2Р			КРЕМНИЙ	164	264.73

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"