Версия для печати
Технические характеристики IRFBE30

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 2.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.1A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	78nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1300pF @ 25V
Power - Max	125W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

IRFBE30 (N-канальные транзисторные модули) Power Mosfet (vdss=800v, Rds (on) =3.0ohm, Id=4.1a) Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFBE30 datasheet 170.72Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AD820AR		Операционный Усилитель полевой вход, вых. размах до шин питания, 1,9 МГц, 3 В/мкс, Uсм ...	ANALOG DEVICES
		AD820AR		Операционный Усилитель полевой вход, вых. размах до шин питания, 1,9 МГц, 3 В/мкс, Uсм ...		45	464.94
		AD820AR		Операционный Усилитель полевой вход, вых. размах до шин питания, 1,9 МГц, 3 В/мкс, Uсм ...	ANALOG DEVICES
		AD820AR		Операционный Усилитель полевой вход, вых. размах до шин питания, 1,9 МГц, 3 В/мкс, Uсм ...	Analog Devices Inc
		AD820AR		Операционный Усилитель полевой вход, вых. размах до шин питания, 1,9 МГц, 3 В/мкс, Uсм ...	4-7 НЕДЕЛЬ
		IRF640NSPBF		Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 200 В, Rоткр = 0.18 Ом, Id(25°C) = 18 A	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF640NSPBF		Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 200 В, Rоткр = 0.18 Ом, Id(25°C) = 18 A	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF640NSPBF		Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 200 В, Rоткр = 0.18 Ом, Id(25°C) = 18 A	INFINEON
		IRF640NSPBF		Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 200 В, Rоткр = 0.18 Ом, Id(25°C) = 18 A
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	VISHAY
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	ST MICROELECTRONICS
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт		226	98.28
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	Vishay/Siliconix
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	STMicroelectronics
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	DMS
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	SILICONIX	18
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	КИТАЙ
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	BLUEROCK
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	1
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	IR/VISHAY
		К1033ЕУ15АР		ИС управления однотактными ИСН, Usmax=30В, Is=1A, fsmax =500кГц.
		К1033ЕУ15АР		ИС управления однотактными ИСН, Usmax=30В, Is=1A, fsmax =500кГц.	RUS
		К1033ЕУ15АР		ИС управления однотактными ИСН, Usmax=30В, Is=1A, fsmax =500кГц.	СИТ
		К1033ЕУ15АР		ИС управления однотактными ИСН, Usmax=30В, Is=1A, fsmax =500кГц.	НТЦ СИТ
		К1033ЕУ15АР		ИС управления однотактными ИСН, Usmax=30В, Is=1A, fsmax =500кГц.	КРЕМНИЙ	26	160.06
		К1156ЕУ2Р				232	158.40
		К1156ЕУ2Р			НТЦ СИТ
		К1156ЕУ2Р			НТЦ
		К1156ЕУ2Р			РОССИЯ
		К1156ЕУ2Р			СИТ	4	225.09
		К1156ЕУ2Р			КРЕМНИЙ	88	253.76

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"