IRLML0040TR
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 3.6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 3.9nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 266pF @ 25V |
| Power - Max | 1.3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | Micro3™/SOT-23 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
ATMEGA8A-AU TQFP32 |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ... | ATMEL |
|
|
|
| L78L33ABZ-AP | ST MICROELECTRONICS | 3 | 31.49 | |||||
| L78L33ABZ-AP |
|
92.00 | ||||||
| L78L33ABZ-AP | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| L78L33ABZ-AP | ST MICROELECTR |
|
|
|||||
| L78L33ABZ-AP | STMICROELECTR |
|
|
|||||
| L78L33ABZ-AP | ST MICROELECTRONICS SEMI | 1 230 |
|
|||||
| L78L33ABZ-AP | 0.00 |
|
|
|||||
| LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | MURATA |
|
|
|||
| LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | CHINA |
|
|
|||
| LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) |
|
25.88 | ||||
| LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | MUR | 59 348 | 7.14 | |||
| LQH32CN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | Murata Electronics North America |
|
|
|||
 |
|
RLB0914-101KL |
|
Индуктивность 100мкГн, 1A, 8.7x12mm | BOURNS |
|
|
|
|
|
|
RLB0914-101KL |
|
Индуктивность 100мкГн, 1A, 8.7x12mm |
|
70.00 | ||
|
|
|
RLB0914-101KL |
|
Индуктивность 100мкГн, 1A, 8.7x12mm | Bourns Inc |
|
|
|
 |
ДПМ-0.4-100 |
|
13.68 |
