| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
|
|
34.40
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BF998 |
|
Транзистор полевой N-канал 12В, 0.03А, 0.2Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FR105 |
|
Импульсный быстровосстанавливающийся диод 1А, 600В, 0.25мкс
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
FR105 |
|
Импульсный быстровосстанавливающийся диод 1А, 600В, 0.25мкс
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
FR105 |
|
Импульсный быстровосстанавливающийся диод 1А, 600В, 0.25мкс
|
|
|
2.56
|
|
|
|
FR105 |
|
Импульсный быстровосстанавливающийся диод 1А, 600В, 0.25мкс
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
FR105 |
|
Импульсный быстровосстанавливающийся диод 1А, 600В, 0.25мкс
|
MIC
|
|
|
|
|
|
FR105 |
|
Импульсный быстровосстанавливающийся диод 1А, 600В, 0.25мкс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
FR105 |
|
Импульсный быстровосстанавливающийся диод 1А, 600В, 0.25мкс
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
FR105 |
|
Импульсный быстровосстанавливающийся диод 1А, 600В, 0.25мкс
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
FR105 |
|
Импульсный быстровосстанавливающийся диод 1А, 600В, 0.25мкс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FR105 |
|
Импульсный быстровосстанавливающийся диод 1А, 600В, 0.25мкс
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
FR105 |
|
Импульсный быстровосстанавливающийся диод 1А, 600В, 0.25мкс
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
140
|
1.59
|
|
|
|
FR105 |
|
Импульсный быстровосстанавливающийся диод 1А, 600В, 0.25мкс
|
MASTER INSTRUMENT
|
800
|
5.47
|
|
|
|
FR105 |
|
Импульсный быстровосстанавливающийся диод 1А, 600В, 0.25мкс
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
FR105 |
|
Импульсный быстровосстанавливающийся диод 1А, 600В, 0.25мкс
|
WUXI XUYANG
|
3 324
|
2.39
|
|
|
|
FR105 |
|
Импульсный быстровосстанавливающийся диод 1А, 600В, 0.25мкс
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
FR105 |
|
Импульсный быстровосстанавливающийся диод 1А, 600В, 0.25мкс
|
0.00
|
|
|
|
|
|
FR105 |
|
Импульсный быстровосстанавливающийся диод 1А, 600В, 0.25мкс
|
YJ
|
16
|
7.72
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
VISHAY
|
4
|
22.48
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
|
794
|
55.20
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
MINOS
|
3 328
|
36.75
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
5
|
|
|
|
|
|
RLB0914-181KL |
|
Индуктивность 180μH 0,75A 8,7x12mm
|
BOURNS
|
11
|
65.52
|
|
|
|
RLB0914-181KL |
|
Индуктивность 180μH 0,75A 8,7x12mm
|
|
|
33.60
|
|
|
|
RLB0914-181KL |
|
Индуктивность 180μH 0,75A 8,7x12mm
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
RLB0914-181KL |
|
Индуктивность 180μH 0,75A 8,7x12mm
|
BOURNS ELECTRON
|
|
|
|
|
|
RLB0914-181KL |
|
Индуктивность 180μH 0,75A 8,7x12mm
|
ВОURNS
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
|
183
|
22.68
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
880
|
17.18
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
БРЯНСК
|
171
|
14.88
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
МИНСК
|
3 016
|
14.88
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
3
|
7.85
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
115
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
1872
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
420
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
558
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
6
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
4
|
|
|
|