| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ATMEGA8A-AU TQFP32 |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
L7805ABV |
|
Стабилизатор напряжения +5V 2% 1A
|
ST MICROELECTRONICS
|
7 694
|
18.15
|
|
|
|
L7805ABV |
|
Стабилизатор напряжения +5V 2% 1A
|
|
1 937
|
22.71
|
|
|
|
L7805ABV |
|
Стабилизатор напряжения +5V 2% 1A
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
L7805ABV |
|
Стабилизатор напряжения +5V 2% 1A
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
L7805ABV |
|
Стабилизатор напряжения +5V 2% 1A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
L7805ABV |
|
Стабилизатор напряжения +5V 2% 1A
|
EBV
|
|
|
|
|
|
L7805ABV |
|
Стабилизатор напряжения +5V 2% 1A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
267
|
|
|
|
|
RLB0914-101KL |
|
Индуктивность 100мкГн, 1A, 8.7x12mm
|
BOURNS
|
2 900
|
41.97
|
|
|
|
RLB0914-101KL |
|
Индуктивность 100мкГн, 1A, 8.7x12mm
|
|
|
70.00
|
|
|
|
RLB0914-101KL |
|
Индуктивность 100мкГн, 1A, 8.7x12mm
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
|
315
|
11.78
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
880
|
17.18
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
БРЯНСК
|
171
|
14.88
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
МИНСК
|
3 096
|
14.88
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
3
|
7.85
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
115
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
1872
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
420
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
558
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
6
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
4
|
|
|
|
|
|
|
КТ361В2 |
|
|
|
788
|
5.58
|
|
|
|
|
КТ361В2 |
|
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ361В2 |
|
|
БРЯНСК
|
224
|
5.58
|
|
|
|
|
КТ361В2 |
|
|
МИНСК
|
776
|
5.58
|
|
|
|
|
КТ361В2 |
|
|
КРЕМНИЙ
|
400
|
14.05
|
|
|
|
|
КТ361В2 |
|
|
1000
|
|
|
|
|
|
|
КТ361В2 |
|
|
281
|
|
|
|