| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
LM338T/NOPB |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM338T/NOPB |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM338T/NOPB |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM338T/NOPB |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM338T/NOPB |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
LM338T/NOPB |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM338T/NOPB |
|
|
|
|
|
|
 |
 |
К174ХА2 |
|
Полупроводниковая интегральная микросхема 3-й степени интеграции.
|
|
|
51.84
|
|
|
|
|
К174ХА2 |
|
Полупроводниковая интегральная микросхема 3-й степени интеграции.
|
ДИСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
314
|
48.45
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
671
|
31.50
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
465
|
24.00
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
272
|
57.07
|
|
|
|
|
МР20-2 ПР/2 К КОМПЛЕКТУ СБ-12А |
|
|
|
14 000
|
5.10
|
|
|
|
|
МР20-2 ПР/2 К КОМПЛЕКТУ СБ-12А |
|
|
|
14 000
|
5.10
|
|
|
|
|
МР20-2 СБ-12А ЧГ |
|
|
|
12 000
|
5.10
|
|
|
|
|
МР20-2 СБ-12А ЧГ |
|
|
|
12 000
|
5.10
|
|
Версия для печати
