МР20-2 ПР/2 К КОМПЛЕКТУ СБ-12А

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
МР20-2 ПР/2 К КОМПЛЕКТУ СБ-12А	14 000	3.40
МР20-2 ПР/2 К КОМПЛЕКТУ СБ-12А	14 000	3.40

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
100МКФ 16 (6.3X5)
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	FAIR
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ST MICROELECTRONICS
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ON SEMICONDUCTOR
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	PHILIPS
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	UTC
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	NXP
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	FAIRCHILD	800	16.83
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	FAIRCHILD	430
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	NXP
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	PHILIPS
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	DC COMPONENTS	1 593	4.17
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	Fairchild Semiconductor
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	STMicroelectronics
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	MOTOROLA
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ST MICROELECTRONICS SEMI
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	КИТАЙ
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)		15	14.40
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ONS-FAIR	2 251	13.06
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	КРЕМНИЙ	243	28.42
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В		518	13.26
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	БРЯНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	МИНСК	1 781	13.00
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	RUS
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ИНТЕГРАЛ
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ТРАНЗИСТОР	32	34.44
МР20-2 СБ-12А ЧГ			12 000	5.10
МР20-2 СБ-12А ЧГ			12 000	5.10
МР20-2 СБ-12А ЧР			5 480	5.10
МР20-2 СБ-12А ЧР			5 480	5.10