МР20-2 СБ-12А ЧГ

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
МР20-2 СБ-12А ЧГ	11 600	3-4 недели Цена по запросу
МР20-2 СБ-12А ЧГ	11 600	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	FAIR
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ST MICROELECTRONICS
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ON SEMICONDUCTOR
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	PHILIPS
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	UTC
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	NXP
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	FAIRCHILD	800	14.05
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	FAIRCHILD	332
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	NXP
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	PHILIPS
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	DC COMPONENTS	9 300	7.58
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	Fairchild Semiconductor
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	STMicroelectronics
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	MOTOROLA
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ST MICROELECTRONICS SEMI
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	КИТАЙ
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)		28	15.12
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ONS-FAIR
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	ONS
2N7000	Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)	1
К174ХА2	Полупроводниковая интегральная микросхема 3-й степени интеграции.			51.84
К174ХА2	Полупроводниковая интегральная микросхема 3-й степени интеграции.	ДИСК
К174ХА2	Полупроводниковая интегральная микросхема 3-й степени интеграции.	ГРАВИТОН
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	КРЕМНИЙ	44	46.85
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В		222	75.60
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	БРЯНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	МИНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	RUS
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ИНТЕГРАЛ
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ТРАНЗИСТОР	30	96.09
МР20-2 ПР/2 К КОМПЛЕКТУ СБ-12А			13 600
МР20-2 ПР/2 К КОМПЛЕКТУ СБ-12А			13 600
МР20-2 СБ-12А ЧР			5 200
МР20-2 СБ-12А ЧР			5 200