Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	VISHAY
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...		4	144.00
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	Vishay/Siliconix
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	КИТАЙ
		IRFBE30		N-канальный Полевой транзистор (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, ...	1
		M4T28-BR12SH1		Батарея для памяти RAM Timekeeper 3В, 48mAч	ST MICROELECTRONICS	23	1 574.37
		M4T28-BR12SH1		Батарея для памяти RAM Timekeeper 3В, 48mAч			540.00
		M4T28-BR12SH1		Батарея для памяти RAM Timekeeper 3В, 48mAч	STMicroelectronics
		M4T28-BR12SH1		Батарея для памяти RAM Timekeeper 3В, 48mAч	ST MICROELECTRONICS SEMI
		M4T28-BR12SH1		Батарея для памяти RAM Timekeeper 3В, 48mAч	SGS THOMSON
		M4T28-BR12SH1		Батарея для памяти RAM Timekeeper 3В, 48mAч	ST MICROELECTRO

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"