| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
2SC5388 |
|
NPN+D Darl hi-res, 1500V, 5A, 50W, Tf<800nS
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
|
2SC5388 |
|
NPN+D Darl hi-res, 1500V, 5A, 50W, Tf<800nS
|
|
1
|
1 045.80
|
|
|
|
|
2SC5388 |
|
NPN+D Darl hi-res, 1500V, 5A, 50W, Tf<800nS
|
SAN
|
|
|
|
|
|
|
2SC5388 |
|
NPN+D Darl hi-res, 1500V, 5A, 50W, Tf<800nS
|
PMC
|
|
|
|
|
|
|
2SC5388 |
|
NPN+D Darl hi-res, 1500V, 5A, 50W, Tf<800nS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
HEF4066BP |
|
Логические ИМС
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
HEF4066BP |
|
Логические ИМС
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
HEF4066BP |
|
Логические ИМС
|
|
4
|
31.62
|
|
|
|
|
HEF4066BP |
|
Логические ИМС
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
HEF4066BP |
|
Логические ИМС
|
NEX
|
|
|
|
|
|
|
HEF4066BP |
|
Логические ИМС
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
STRG5653 |
|
SMPS схема упpавления, MOSFET
|
SANKEN
|
|
|
|
|
|
|
STRG5653 |
|
SMPS схема упpавления, MOSFET
|
SK
|
|
|
|
|
|
|
STRG5653 |
|
SMPS схема упpавления, MOSFET
|
|
2
|
346.50
|
|
|
|
|
STRG5653 |
|
SMPS схема упpавления, MOSFET
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STRG5653 |
|
SMPS схема упpавления, MOSFET
|
1
|
|
|
|
|
|
|
STRG5653 |
|
SMPS схема упpавления, MOSFET
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
 |
YX360TRN |
|
Мультиметр стрелочный 1000В, 20МОм, 250мА
|
|
|
700.00
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
|
153
|
45.36
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
65.59
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
БРЯНСК
|
50
|
31.99
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЕКТРОНПРИБОР
|
400
|
53.09
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭДЬТАВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЬТАВ
|
396
|
14.88
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
97
|
12.16
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
14
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
151
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
179
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
260
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
342
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
376
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
122
|
|
|
|
Версия для печати
