|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 076
|
37.12
|
|
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)
|
|
43
|
66.88
|
|
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)
|
ЭЛЬТАВ
|
|
|
|
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)
|
|
43
|
66.88
|
|
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)
|
1
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
ST MICROELECTRONICS
|
12
|
44.62
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
|
|
28.56
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
ИНДОНЕЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
ИНДИЯ
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
LGE
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
KLS
|
10 053
|
21.78
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
ZH
|
36 000
|
12.44
|
|
|
|
BDX53B |
|
Транзистор биполярный SMD
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BDX53B |
|
Транзистор биполярный SMD
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
BDX53B |
|
Транзистор биполярный SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BDX53B |
|
Транзистор биполярный SMD
|
|
|
63.24
|
|
|
|
BDX53B |
|
Транзистор биполярный SMD
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
BDX53B |
|
Транзистор биполярный SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BDX53B |
|
Транзистор биполярный SMD
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
400
|
43.35
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
7
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
2 910
|
12.51
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
111
|
5.28
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
10.20
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
3 292
|
10.40
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ПРОХЛАДНЫЙ
|
4
|
2.00
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
2 521
|
4.00
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
16
|
6.22
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
|
5 237
|
38.50
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
80
|
27.12
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
МИНСК
|
11 461
|
44.00
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
1 040
|
108.24
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
|
921
|
36.75
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
МИНСК
|
13 185
|
40.00
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
2 400
|
79.70
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
МП35 |
|
|
|
|
23.04
|
|
|
|
МП35 |
|
|
ПЛАНЕТА
|
|
|
|