|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 076
|
37.94
|
|
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)
|
|
43
|
66.88
|
|
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)
|
ЭЛЬТАВ
|
|
|
|
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)
|
|
43
|
66.88
|
|
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD679 |
|
Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)
|
1
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
ST MICROELECTRONICS
|
12
|
47.18
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
|
|
28.56
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
ИНДОНЕЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
ИНДИЯ
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
LGE
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
KLS
|
8 545
|
25.51
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD679A |
|
Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W
|
ZH
|
35 600
|
12.71
|
|
|
|
BDX53B |
|
Транзистор биполярный SMD
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BDX53B |
|
Транзистор биполярный SMD
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
BDX53B |
|
Транзистор биполярный SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BDX53B |
|
Транзистор биполярный SMD
|
|
|
63.24
|
|
|
|
BDX53B |
|
Транзистор биполярный SMD
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
BDX53B |
|
Транзистор биполярный SMD
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BDX53B |
|
Транзистор биполярный SMD
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
400
|
43.35
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
7
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
2 716
|
13.33
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
|
160
|
7.20
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
БРЯНСК
|
120
|
5.00
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
МИНСК
|
1 299
|
6.00
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
400
|
12.24
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
ДАЛЕКС
|
736
|
11.81
|
|
|
|
КТ829В |
|
|
|
629
|
7.00
|
|
|
|
КТ829В |
|
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
81.60
|
|
|
|
КТ829В |
|
|
ФРЯЗИНО
|
4
|
14.00
|
|
|
|
КТ829В |
|
|
ЭЛЬТАВ
|
|
|
|
|
|
КТ829В |
|
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ829В |
|
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
КТ829В |
|
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ829В |
|
|
ЭЛЬДАГ
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
|
4 997
|
38.50
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
80
|
27.12
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
МИНСК
|
11 461
|
44.00
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
1 040
|
108.24
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
|
5 721
|
35.00
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
МИНСК
|
13 185
|
40.00
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
2 000
|
79.70
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
RUS
|
|
|
|