| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
DIP18-S |
|
Панель DIP-18S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм
|
NELTON
|
|
|
|
|
|
|
DIP18-S |
|
Панель DIP-18S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм
|
|
|
6.00
|
|
|
|
|
DIP18-S |
|
Панель DIP-18S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм
|
NELTRON
|
|
|
|
|
|
|
DIP18-S |
|
Панель DIP-18S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм
|
HSUAN MAO
|
|
|
|
|
|
|
TDA2009A |
|
УHЧ 2х12.5W (24V/4 Ом)
|
ST MICROELECTRONICS
|
44
|
214.20
|
|
|
|
|
TDA2009A |
|
УHЧ 2х12.5W (24V/4 Ом)
|
ОРБИТА
|
80
|
193.80
|
|
|
|
|
TDA2009A |
|
УHЧ 2х12.5W (24V/4 Ом)
|
|
16
|
333.60
|
|
|
|
|
TDA2009A |
|
УHЧ 2х12.5W (24V/4 Ом)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
TDA2009A |
|
УHЧ 2х12.5W (24V/4 Ом)
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
|
TDA2009A |
|
УHЧ 2х12.5W (24V/4 Ом)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
TDA2009A |
|
УHЧ 2х12.5W (24V/4 Ом)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
TDA2009A |
|
УHЧ 2х12.5W (24V/4 Ом)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
TDA2009A |
|
УHЧ 2х12.5W (24V/4 Ом)
|
1
|
|
|
|
|
|
|
КТ 315Г |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
|
710
|
27.48
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
КРЕМНИЙ
|
3 680
|
46.25
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
БРЯНСК
|
15 740
|
32.00
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
1 916
|
31.68
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
30.60
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
1 932
|
32.00
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
Версия для печати
