Версия для печати
Технические характеристики TDA2009A

Корпус (размер)	Multiwatt-11 (Vertical, Bent and Staggered Leads)
Корпус	11-Multiwatt
Тип монтажа	Выводной
Возможности	Short-Circuit and Thermal Protection
Напряжение питания	8 V ~ 28 V
Макс. выходная мощность х Каналы @ Нагрузка	12.5W x 2 @ 4 Ohm
Тип выхода	2-Channel (Stereo)
Тип	Class AB
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Output Type	2-Channel (Stereo)

TDA2009A (Аудио) 10 +10W STEREO AMPLIFIER Производитель: STMicroelectronics //www.st.com TDA2009A datasheet 193.37Kb 12стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Аудиоусилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		TDA7294		УHЧ DMOS, 2x70W (2x35V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x100W	ST MICROELECTRONICS
		TDA7294		УHЧ DMOS, 2x70W (2x35V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x100W			229.48
		TDA7294		УHЧ DMOS, 2x70W (2x35V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x100W	4-7 НЕДЕЛЬ
		TDA8920BJ		Усилитель D класса , 2*110Вт	NXP
		TDA8920BJ		Усилитель D класса , 2*110Вт			640.00
		TDA8920BJ		Усилитель D класса , 2*110Вт	4-7 НЕДЕЛЬ
		КТ503В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный		792	16.38
		КТ503В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	КРЕМНИЙ	532	14.84
		КТ503В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	АЛЕКСАНДРОВ	3 395	3.72
		КТ503В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	БРЯНСК	4 908	5.58
		КТ503В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	МИНСК	766	7.44
		КТ503В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	RUS
		КТ503В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	ИНТЕГРАЛ
		КТ503В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	ДАЛЕКС
		КТ503В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	196
		КТ503В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	4264
		КТ503В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	6178
		КТ503В		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	762
		КТ 817 Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	RUS
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	КРЕМНИЙ	208	1 171.20
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А		32	595.20
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	БРЯНСК	124	1 292.70
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	СИТ
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	RUS
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	1
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	104
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	24
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	88

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"