|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
MJ11016 |
|
Транзистор биполярный составной NPN Darl, 120V, 30A, 200W
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJ11016 |
|
Транзистор биполярный составной NPN Darl, 120V, 30A, 200W
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MJ11016 |
|
Транзистор биполярный составной NPN Darl, 120V, 30A, 200W
|
|
4
|
862.40
|
|
|
|
MJ11016 |
|
Транзистор биполярный составной NPN Darl, 120V, 30A, 200W
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MJ11016 |
|
Транзистор биполярный составной NPN Darl, 120V, 30A, 200W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TDA7294 |
|
УHЧ DMOS, 2x70W (2x35V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x100W
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA7294 |
|
УHЧ DMOS, 2x70W (2x35V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x100W
|
|
|
229.48
|
|
|
|
TDA8920BJ |
|
Усилитель D класса , 2*110Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
TDA8920BJ |
|
Усилитель D класса , 2*110Вт
|
|
|
640.00
|
|
|
|
К10-17А-18 М47 5% |
|
Керамический конденсатор 18 пФ 50 В
|
|
|
52.92
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
|
1 080
|
7.20
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
16.83
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
7 262
|
3.00
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
БРЯНСК
|
8 056
|
3.00
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
МИНСК
|
782
|
8.00
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ503В |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|