| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
0805-X7R-1300PF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 1300 пФ 50 В
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
0805-X7R-1300PF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 1300 пФ 50 В
|
|
56
|
1.28
|
|
|
|
1206-4.7K 1% |
|
ЧИП — резистор 1206, 4,7кОм, 1%
|
|
10
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
IR2103 |
|
H/L драйвер 600В 130/270мА
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IR2103 |
|
H/L драйвер 600В 130/270мА
|
|
|
125.20
|
|
|
|
IR2103 |
|
H/L драйвер 600В 130/270мА
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IR2103 |
|
H/L драйвер 600В 130/270мА
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IR2103 |
|
H/L драйвер 600В 130/270мА
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR2103 |
|
H/L драйвер 600В 130/270мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
452
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
SGS
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
|
182
|
102.30
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF730 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)
|
1
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
|
383
|
26.04
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
65.59
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
БРЯНСК
|
74
|
31.99
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЕКТРОНПРИБОР
|
400
|
53.09
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭДЬТАВ
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЬТАВ
|
396
|
14.88
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
97
|
12.16
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
14
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
151
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
179
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
260
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
342
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
376
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
122
|
|
|
|