|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N40041A400V |
|
Выпрямительный диод (Vr=400V (280Vrms), I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.1V@I=1A, -65 to +125C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
564ЛЕ5 |
|
|
ИВАНОВО-ФРАНКОВСК
|
|
|
|
|
|
564ЛЕ5 |
|
|
ВОСХОД
|
52
|
455.00
|
|
|
|
564ЛЕ5 |
|
|
|
8
|
264.00
|
|
|
|
564ЛЕ5 |
|
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
564ЛЕ5 |
|
|
ЭКСИТОН
|
|
|
|
|
|
564ЛЕ5 |
|
|
КАЛУГА
|
|
|
|
|
|
564ЛЕ5 |
|
|
ПАВЛОВ ПАСАД
|
|
|
|
|
|
564ЛЕ5 |
|
|
РОДОН
|
|
|
|
|
|
564ЛЕ5 |
|
|
ПАВЛОВ ПОСАД
|
|
|
|
|
|
564ЛЕ5 |
|
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
564ЛЕ5 |
|
|
АНГСТРЕМ
|
|
|
|
|
|
564ЛЕ5 |
|
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
564ЛЕ5 |
|
|
ПАВЛОВСКИЙ ПОСАД
|
|
|
|
|
|
К142ЕН8Б |
|
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
К142ЕН8Б |
|
|
|
|
774.52
|
|
|
|
К142ЕН8Б |
|
|
ТЭЗ
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
|
2 046
|
15.84
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
81.60
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
БРЯНСК
|
314
|
34.40
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ФРЯЗИНО
|
1 465
|
16.00
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЕКТРОНПРИБОР
|
400
|
66.30
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭДЬТАВ
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЬТАВ
|
300
|
16.00
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
160
|
16.00
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
207
|
18.31
|
|
|
|
КТ872А |
|
Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...
|
|
1
|
158.40
|
|
|
|
КТ872А |
|
Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ872А |
|
Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ872А |
|
Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ872А |
|
Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
КТ872А |
|
Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...
|
ЭПЛ
|
|
|
|
|
|
КТ872А |
|
Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...
|
ЗБАРАЖ
|
|
|
|
|
|
КТ872А |
|
Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ872А |
|
Транзистор кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные, для применения в ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|