IRL3714ZS
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 15A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 36A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 7.2nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 550pF @ 10V |
| Power - Max | 35W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRL3714ZS (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1SMB5929BT3G |
|
Стабилитрон 3W 15V DO214AA | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
| 1SMB5929BT3G |
|
Стабилитрон 3W 15V DO214AA |
|
35.68 | ||||
| 1SMB5929BT3G |
|
Стабилитрон 3W 15V DO214AA | ON SEMICONDUCTOR | 112 |
|
|||
| 1SMB5929BT3G |
|
Стабилитрон 3W 15V DO214AA | ONS |
|
|
|||
| 1SMB5929BT3G |
|
Стабилитрон 3W 15V DO214AA | ONSEMI | 533 | 7.44 | |||
| EGL41D | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| EGL41D | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
 |
 |
LP2951CN-3.3 |
|
Регулируемый стабилизатор напряжения ``low drop`` СН (Vout=3/3,3V, tol=2%, I=0.1A, ... | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
LP2951CN-3.3 |
|
Регулируемый стабилизатор напряжения ``low drop`` СН (Vout=3/3,3V, tol=2%, I=0.1A, ... | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
REF02CP |
|
ИМС ИОН 5В | ANALOG DEVICES |
|
|
||
|
|
REF02CP |
|
ИМС ИОН 5В |
|
210.28 | |||
|
|
REF02CP |
|
ИМС ИОН 5В | ANALOG DEVICES | 3 |
|
||
|
|
REF02CP |
|
ИМС ИОН 5В | Analog Devices Inc |
|
|
||
| TLV2548IDW | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TLV2548IDW |
|
1 655.48 | ||||||
| TLV2548IDW | TEXAS |
|
|
