1SMB5929BT3G
Стабилитрон 3W 15V DO214AA
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 15V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 200mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1µA @ 11.4V |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Power - Max | 3W |
| Impedance (Max) (Zzt) | 9 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DO-214AA, SMB |
| Корпус | SMB |
| Рабочая температура | -65°C ~ 150°C |
| Tolerance | ±5% |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 7914G-1-000EКНОПКАТАКТОВАЯ | BOURNS |
|
|
|||||
| BZX84C8V2LT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| BZX84C8V2LT1G |
|
|
||||||
| BZX84C8V2LT1G | ONS |
|
|
|||||
| BZX84C8V2LT1G | ON SEMICONDUCTOR | 9 309 |
|
|||||
| BZX84C8V2LT1G |
|
|
||||||
| FM25H20-DG |
|
Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free | RAMTRON |
|
|
|||
| FM25H20-DG |
|
Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free | RAM |
|
|
|||
| FM25H20-DG |
|
Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free |
|
2 160.00 | ||||
| FM25H20-DG |
|
Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free | ТАИЛАНД |
|
|
|||
| FM25H20-DG |
|
Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free | CYPR |
|
|
|||
| FM25H20-DG |
|
Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free | CYP |
|
|
|||
| KXO-V97T 50.0 MHZ 3.3V +/-50PPM | GEYER ELECTRONIC |
|
|
|||||
| KXO-V97T 50.0 MHZ 3.3V +/-50PPM | GEYER |
|
|
|||||
| KXO-V97T 50.0 MHZ 3.3V +/-50PPM |
|
517.60 | ||||||
| TLV2461IDBVR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TLV2461IDBVR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TLV2461IDBVR |
|
358.80 |
