Версия для печати

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

ДИОДЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IR2101		PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	253.76
		IR2101		PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8			119.28
		IR2101		PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8	ТАИЛАНД
		IR2101		PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8	INFINEON
		IR2101		PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8	1
		IR2101		PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8	4-7 НЕДЕЛЬ
		К1156ЕУ2АТ				17	480.00
		К1156ЕУ2АТ			НТЦ СИТ
		К1156ЕУ2АТ			СИТ	5	669.60
		К1156ЕУ2АТ			НТЦ
		К1156ЕУ2АТ			БРЯНСК	340	985.80
		К1156ЕУ2АТ			КРЕМНИЙ	8	917.44
		КД243Д				232	3.68
		КД243Д			НПП ТЭЗ
		КД243Д			ТОМИЛИНО
		КД243Д			САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КД243Д			СЗТП	80	8.59
		КД243Д			RUS
		КД243Д			ТЕРРА
		КД243Д			САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КС222Ж		стекло		2 646	11.71
		КС222Ж		стекло	НЗПП	712	14.46
		КС222Ж		стекло	НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
		КС222Ж		стекло	RUS
		КС222Ж		стекло	СЗТП	40	74.18
		КС222Ж		стекло	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный		175	22.68
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	КРЕМНИЙ	880	17.18
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	БРЯНСК	171	14.88
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	МИНСК	3 016	14.88
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ВОРОНЕЖ
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ТРАНЗИСТОР	3	7.85
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	115
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	1872
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	420
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	558
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	6
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	4

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"