| Мощность рассеяния,Вт | 0.125 |
| Минимальное напряжение стабилизации,В | 20 |
| Номинальное напряжение стабилизации,В | 22 |
| Максимальное напряжение стабилизации,В | 24 |
| Статическое сопротивление Rст.,Ом | 70 |
| при токе I ст,мА | 2 |
| Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С | 0.1 |
| Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В | 1 |
| Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 0.5 |
| Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 5.7 |
| Рабочая температура,С | -60...125 |
| Способ монтажа | в отверстие |
| Корпус | kd 2 |
| Производитель | Россия |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
ECAP 2200/50V 1635 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 50 В, 105С
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 2200/50V 1635 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 50 В, 105С
|
JAM
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 2200/50V 1635 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 50 В, 105С
|
|
|
128.08
|
|
|
|
|
ECAP 2200/50V 1635 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200мкФ, 50 В, 105С
|
JB
|
|
|
|
|
|
|
IR2101 |
|
PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
311.10
|
|
|
|
|
IR2101 |
|
PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8
|
|
1
|
196.80
|
|
|
|
|
IR2101 |
|
PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
IR2101 |
|
PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IR2101 |
|
PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8
|
1
|
|
|
|
|
|
|
К157УД2 |
|
Малошумящий двухканальный операционный усилитель средней точности, защита от КЗ на ...
|
|
1 957
|
299.20
|
|
|
|
|
К157УД2 |
|
Малошумящий двухканальный операционный усилитель средней точности, защита от КЗ на ...
|
ПОЛЯРОН
|
158
|
220.00
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
|
12 488
|
10.50
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН
|
10 629
|
9.10
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
СЗТП
|
800
|
20.40
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ОРБИТА
|
4 720
|
25.58
|
|
|
|
|
КТ502А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...
|
|
2 548
|
3.52
|
|
|
|
|
КТ502А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
13.77
|
|
|
|
|
КТ502А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
34
|
6.00
|
|
|
|
|
КТ502А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КТ502А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ502А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...
|
МИНСК
|
3 252
|
8.00
|
|
|
|
|
КТ502А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ502А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный, для ...
|
БРЯНСК
|
121
|
6.00
|
|
Версия для печати
