Версия для печати
Технические характеристики КС222Ж

Мощность рассеяния,Вт	0.125
Минимальное напряжение стабилизации,В	20
Номинальное напряжение стабилизации,В	22
Максимальное напряжение стабилизации,В	24
Статическое сопротивление Rст.,Ом	70
при токе I ст,мА	2
Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С	0.1
Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В	1
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА	0.5
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА	5.7
Рабочая температура,С	-60...125
Способ монтажа	в отверстие
Корпус	kd 2
Производитель	Россия

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

СТАБИЛИТРОНЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ECAP 1000/16V 0820 105C MZ		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 16 В	JAMICON
		ECAP 1000/16V 0820 105C MZ		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 16 В	JAM
		К1156ЕУ2АТ				20	480.00
		К1156ЕУ2АТ			НТЦ СИТ
		К1156ЕУ2АТ			СИТ	5	669.60
		К1156ЕУ2АТ			НТЦ
		К1156ЕУ2АТ			БРЯНСК	340	985.80
		К1156ЕУ2АТ			КРЕМНИЙ	8	917.44
		К157УД2		Малошумящий двухканальный операционный усилитель средней точности, защита от КЗ на ...		382	465.00
		К157УД2		Малошумящий двухканальный операционный усилитель средней точности, защита от КЗ на ...	ПОЛЯРОН	996	223.20
		К157УД2		Малошумящий двухканальный операционный усилитель средней точности, защита от КЗ на ...	АЛЬФА РИГА
		К157УД2		Малошумящий двухканальный операционный усилитель средней точности, защита от КЗ на ...	69
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный		307	11.78
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	КРЕМНИЙ	880	17.18
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	БРЯНСК	171	14.88
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	МИНСК	3 096	14.88
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ВОРОНЕЖ
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	ТРАНЗИСТОР	3	7.85
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	115
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	1872
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	420
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	558
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	6
		КТ315Г1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный	4
		РЭС 22 РФ4.500.130				54	218.40

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"