| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
DC COMPONENTS
|
31 148
|
2.96
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
NXP
|
128
|
9.27
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
PHILIPS
|
7 248
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
KINGTRONIC
|
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
KINGTRONICS
|
6 256
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
KEEN SIDE
|
5 081
|
1.02
>100 шт. 0.51
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
7820
|
|
|
|
|
|
ECAP 470/25V 1012 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 25 В
|
|
|
9.80
|
|
|
|
ECAP 470/25V 1012 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 25 В
|
TEAPO
|
|
|
|
|
|
ECAP 470/25V 1012 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 25 В
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
FDP18N50 |
|
500v n-channel mosfet
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FDP18N50 |
|
500v n-channel mosfet
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FDP18N50 |
|
500v n-channel mosfet
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FDP18N50 |
|
500v n-channel mosfet
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FDP18N50 |
|
500v n-channel mosfet
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
FDP18N50 |
|
500v n-channel mosfet
|
|
|
|
|
|
|
FDP18N50 |
|
500v n-channel mosfet
|
ONS
|
|
|
|
|
|
FDP18N50 |
|
500v n-channel mosfet
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
|
480
|
207.02
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
FAIRCHILD
|
483
|
380.17
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONS
|
2
|
383.46
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60SFDTU |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop
|
RUME
|
1 176
|
147.91
|
|
|
|
|
LG400M0680BPF-3550 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 680 мкФ 400 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
LG400M0680BPF-3550 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 680 мкФ 400 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
LG400M0680BPF-3550 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 680 мкФ 400 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|