FDP18N50
500v n-channel mosfet
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | UniFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 265 mOhm @ 9A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 18A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2860pF @ 25V |
| Power - Max | 235W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FDP18N50 (MOSFET) 500V N-Channel MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
GBU1006 |
|
Diodes Inc |
|
|
||
|
|
|
GBU1006 |
|
DI |
|
|
||
|
|
|
GBU1006 |
|
DIODES INC. | 120 |
|
||
|
|
|
GBU1006 |
|
1 268 | 21.17 | |||
|
|
|
GBU1006 |
|
DIODES |
|
|
||
| ICE2PCS02G | INFINEON |
|
|
|||||
| ICE2PCS02G | Infineon Technologies |
|
|
|||||
| ICE2PCS02G |
|
|
||||||
| ICE2PCS02G |
|
|
||||||
| SPP21N50C3 |
|
N-MOS 600V, 20A, 208W | INFINEON |
|
|
|||
| SPP21N50C3 |
|
N-MOS 600V, 20A, 208W | Infineon Technologies |
|
|
|||
| SPP21N50C3 |
|
N-MOS 600V, 20A, 208W |
|
|
||||
| SPP21N50C3 |
|
N-MOS 600V, 20A, 208W | INFINEON |
|
|
|||
|
|
SPW35N60C3 | INFINEON |
|
|
||||
|
|
SPW35N60C3 |
|
960.00 | |||||
|
|
SPW35N60C3 | Infineon Technologies |
|
|
||||
|
|
SPW35N60C3 | КИТАЙ |
|
|
||||
| STTH12R06DIRG | ST MICROELECTRONICS | 224 | 206.84 | |||||
| STTH12R06DIRG | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| STTH12R06DIRG |
|
|
||||||
| STTH12R06DIRG | ST MICROELECTRO |
|
|
