![]() |
![]() |
О компании | ![]() |
Контакты | ![]() |
Каталог | ![]() |
Как купить? | ![]() |
Доставка | ![]() |
Вакансии | ![]() |
![]() |
![]() |
Вход | ![]() |
|
08 Август 2025
Российские ученые (Российский квантовый центр, МИСИС, МФТИ) создали и провели экспериментальную демонстрацию нового фундаментального блока масштабирования квантовых процессоров. Это шаг к созданию мощного квантового компьютера так как новая архитектура позволяет выполнять двухкубитовые операции с высокой точностью и скоростью. |
01 Ноябрь 2025
Ассоциация «Пассивные электронные компоненты» прогнозирует рост российского рынка почти в 15 раз. Обусловлен прогноз тем что в соответствии с постановлением правительства РФ № 1912 субъекты критической инфраструктуры обязаны перейти на отечественные программно-аппаратные комплексы с 1.01.2030 года. Динамика сектора говорит о взрывном росте от 17,9 млрд в 2022 году до 26,3 млрд в 2024 м. При этом производство в стране не успевает за спросом, на сегодняшний день отечественная промышленность покрывает всего около 20% спроса и 80% составляет импорт. Минпромторг за период с 2021 по 2023 годы выделил на развитие производства 20 млрд рублей. »»»
05 Сентябрь 2025
Руководитель Центра авиационно-космических технологий ФПИ сообщил в беседе с ТАСС что планируется развертывание стратосферной стстемы связи 5G. Испытания будут проходить уже в 2026 году. »»»
08 Август 2025
Российские ученые (Российский квантовый центр, МИСИС, МФТИ) создали и провели экспериментальную демонстрацию нового фундаментального блока масштабирования квантовых процессоров. Это шаг к созданию мощного квантового компьютера так как новая архитектура позволяет выполнять двухкубитовые операции с высокой точностью и скоростью. »»»
18 Июль 2025
В декабре 2024 года ведущие компании по производству чипов сообщали об исследованиях направленных на создание 2Д транзисторов с целью уменьшения в тысячи раз энергопотребления, повышения производительности и уменьшения размеров . Исследования Cdimension позволили разработать технологию получения нового материала MoS2 (полупроводник n-типа) с двухмерной структурой при достаточно низкой температуре для совместимости с процессами производства кремния, что позволяет выращивать структуру прямо на пластине из кремния. Данная технология позволяет первести исследования в стадию промышленной разработки и в конечном итоге позволит заменить CMOS чипы и создать многоярусные 3Д элементы. »»» |