СН1-1 1500В 10%

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
СН1-1 1500В 10% (АРМЕНИЯ СИРИУС)	744	21.20
СН1-1 1500В 10% (ПРОГРЕСС)	3 136	21.20

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BY359-1500		NXP
BY359-1500				109.60
К155ЛИ5				23.04
К155ЛИ5		ПЛАНЕТА	12	123.98
К155ЛИ5		RUS
КР1006ВИ1	Микросхема таймерформирования импульсов напряжения		44	53.80
КР1006ВИ1	Микросхема таймерформирования импульсов напряжения	РИГА
КР1006ВИ1	Микросхема таймерформирования импульсов напряжения	МСХ1
КР1006ВИ1	Микросхема таймерформирования импульсов напряжения	ЛАТВИЯ
КР1006ВИ1	Микросхема таймерформирования импульсов напряжения	RUS
КР1006ВИ1	Микросхема таймерформирования импульсов напряжения	АЛЬФА РИГА	440	113.65
КР1006ВИ1	Микросхема таймерформирования импульсов напряжения	АЛЬФА
КР1006ВИ1	Микросхема таймерформирования импульсов напряжения	ИНТЕГРАЛ
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт		681	27.60
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	КРЕМНИЙ	1 200	33.57
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	БРЯНСК	1 586	38.16
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	МИНСК	237	25.44
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	УЛЬЯНОВСК
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	RUS
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	ИНТЕГРАЛ
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	1988
МЛТ-2-4,7 КОМ-10%			66	15.12