| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ADUM1400ARWZ |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADUM1400ARWZ |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADUM1400ARWZ |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
|
|
612.00
|
|
|
|
ADUM1400ARWZ |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADUM1400ARWZ |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADUM1400ARWZ |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
ADUM1400ARWZ |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
ADUM1400ARWZ |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
35
|
|
|
|
|
ADUM1401ARWZ |
|
Четырехканальный, двунаправленный (3+1) цифровой электромагнитный изолятор
|
ANALOG DEVICES
|
35
|
718.79
|
|
|
|
ADUM1401ARWZ |
|
Четырехканальный, двунаправленный (3+1) цифровой электромагнитный изолятор
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADUM1401ARWZ |
|
Четырехканальный, двунаправленный (3+1) цифровой электромагнитный изолятор
|
|
|
715.80
|
|
|
|
ADUM1401ARWZ |
|
Четырехканальный, двунаправленный (3+1) цифровой электромагнитный изолятор
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADUM1401ARWZ |
|
Четырехканальный, двунаправленный (3+1) цифровой электромагнитный изолятор
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADUM1401ARWZ |
|
Четырехканальный, двунаправленный (3+1) цифровой электромагнитный изолятор
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
ADUM1401ARWZ |
|
Четырехканальный, двунаправленный (3+1) цифровой электромагнитный изолятор
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
ADUM1401ARWZ |
|
Четырехканальный, двунаправленный (3+1) цифровой электромагнитный изолятор
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
628
|
|
|
|
|
|
ATTINY44-20SSU |
|
ISP-MC 8 BIT 2,7-5,5V 4K-Flash 20MHz
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY44-20SSU |
|
ISP-MC 8 BIT 2,7-5,5V 4K-Flash 20MHz
|
|
|
266.00
|
|
|
|
|
ATTINY44-20SSU |
|
ISP-MC 8 BIT 2,7-5,5V 4K-Flash 20MHz
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY44-20SSU |
|
ISP-MC 8 BIT 2,7-5,5V 4K-Flash 20MHz
|
США
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY44-20SSU |
|
ISP-MC 8 BIT 2,7-5,5V 4K-Flash 20MHz
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY44-20SSU |
|
ISP-MC 8 BIT 2,7-5,5V 4K-Flash 20MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY44-20SSU |
|
ISP-MC 8 BIT 2,7-5,5V 4K-Flash 20MHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
108
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
2 272
|
1.49
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
|
73 904
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY
|
77
|
4.34
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
3 888
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIOTEC
|
25
|
1.78
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
102
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HOTTECH
|
1 201
|
1.12
>100 шт. 0.56
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMTECH
|
11
|
3.04
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
52
|
1.54
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
JSCJ
|
123 274
|
3.31
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YJ
|
321 906
|
3.36
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
XXW
|
12 311
|
1.90
>100 шт. 0.95
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
CJ
|
8 000
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
31 224
|
1.49
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HXY
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
3615
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
10000
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
1500
|
|
|
|
|
|
|
SN74LVC244APWR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
1
|
30.69
|
|
|
|
|
SN74LVC244APWR |
|
|
|
4
|
32.00
|
|
|
|
|
SN74LVC244APWR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
324
|
|
|
|
|
|
SN74LVC244APWR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
SN74LVC244APWR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
364
|
|
|