Версия для печати
Технические характеристики REF196GSZ

Корпус	8-SOIC
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Ток выходной	30mA
Ток в рабочей точке(ВАХ)	15µA
Количество каналов	1
Напряжение входное	3.4 V ~ 15 V
Температурный коэфициент	25ppm/°C
Допустимые отклонения емкости	±10mV
Напряжение выходное	3.3V
Reference Type	Series, Precision
Серия	REF19
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Tolerance	±10mV

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Опорные источники

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		0805 4.7UF X5R 10% 10V
		AD8555ARZ		Операционный усилитель 1 канальный 2.7 ... 5.5в, 2Ма, 2МГц	ANALOG DEVICES
		AD8555ARZ		Операционный усилитель 1 канальный 2.7 ... 5.5в, 2Ма, 2МГц
		AD8555ARZ		Операционный усилитель 1 канальный 2.7 ... 5.5в, 2Ма, 2МГц	Analog Devices Inc
		AD8555ARZ		Операционный усилитель 1 канальный 2.7 ... 5.5в, 2Ма, 2МГц
		AD8555ARZ		Операционный усилитель 1 канальный 2.7 ... 5.5в, 2Ма, 2МГц	ANALOG
		AD8555ARZ		Операционный усилитель 1 канальный 2.7 ... 5.5в, 2Ма, 2МГц	4-7 НЕДЕЛЬ	529
		ECAP 470/35V 1016 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 35 В, 105С			24.00
		ECAP 470/35V 1016 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 35 В, 105С	JAMICON
		ECAP 470/35V 1016 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 35 В, 105С	JAM
		ECAP 470/35V 1016 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 470мкФ, 35 В, 105С	JB
		LM1117DT-1.8		ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM1117DT-1.8		ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	ON SEMICONDUCTOR
		LM1117DT-1.8		ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)		3	160.02
		LM1117DT-1.8		ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	NSC
		LM1117DT-1.8		ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	24
		LM1117DT-1.8		ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	TEXAS INSTRUMENTS
		LM1117DT-1.8		ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	NS	20	159.00
		LM1117DT-1.8		ЛСН ``low drop`` (Vout=1.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	4-7 НЕДЕЛЬ	510
		LP2985AIM5-1.8			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LP2985AIM5-1.8					100.00
		LP2985AIM5-1.8			NSC	1	67.53
		LP2985AIM5-1.8			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LP2985AIM5-1.8			TEXAS INSTRUMENTS
		LP2985AIM5-1.8			NS
		LP2985AIM5-1.8			4-7 НЕДЕЛЬ	403

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"