| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
1А401А |
|
|
|
120
|
37.48
|
|
|
|
|
1А401А |
|
|
ТОМИЛИНО
|
123
|
74.20
|
|
|
|
|
1А401А |
|
|
ЭЛТОМ
|
1 067
|
135.80
|
|
|
|
|
1А401А |
|
|
64
|
|
|
|
|
|
|
1А401А |
|
|
90
|
|
|
|
|
|
|
2А104А |
|
|
|
1 364
|
312.32
|
|
|
|
|
2А104А |
|
|
ТОМИЛИНО
|
1 915
|
25.44
|
|
|
|
|
2А104А |
|
|
ЭЛТОМ
|
|
|
|
|
|
|
2А104А |
|
|
1823
|
|
|
|
|
|
|
2А104А |
|
|
4
|
|
|
|
|
|
|
2А104А |
|
|
482
|
|
|
|
|
|
|
2А104А |
|
|
85
|
|
|
|
|
|
|
2А517А-2 |
|
|
|
365
|
160.06
|
|
|
|
|
2А517А-2 |
|
|
СОЛИТОН-ТАНТАЛ
|
2 240
|
349.20
|
|
|
|
|
2А517А-2 |
|
|
ТАНТАЛ
|
96
|
127.20
|
|
|
|
|
BAS316,115 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS316,115 |
|
|
NXP Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
BAS316,115 |
|
|
NEX
|
|
|
|
|
|
|
BAS316,115 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BAS316,115 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BAS316,115 |
|
|
NEXPERIA
|
24 000
|
|
|
|
|
|
BAS316,115 |
|
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
|
BAS316,115 |
|
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
|
BAS316,115 |
|
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
|
2 012
|
5.47
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
БОЛОХОВСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
БОЛХОВ
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
БОЛХОВСКИЙ ЗПП
|
880
|
12.40
|
|
|
|
КД514А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 10В, 0,02А
|
191
|
|
|
|