BAP64-02.115

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BAP64-02.115 (NXP)	16	34.51

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BF245B	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA			14.28
BF245B	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA	FAIR
BF245B	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA	NXP
BF245B	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA	FSC
BF245B	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA	PHILIPS
BF245B	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA	PHILIPS
BF245B	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA	Fairchild Semiconductor
BF245B	Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA	ON Semiconductor
MSA-0386		AGILENT TECHNOLOGIES
MSA-0386				399.76
MSA-0386		AVAGO
MSA-0386		МАЛАЙЗИЯ
MSA-0386		BROADCOM
MSA-0386		4-7 НЕДЕЛЬ	32
SGA-5489		SIRENZA MICRODEVICES
SGA-5489
SGA-5489		SIRENZA MICRODEVICES	26
SGA-5489		RFMD
SGA-5489		4-7 НЕДЕЛЬ	99
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	ST MICROELECTRONICS
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В			34.00
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	STMICROELECTRONICS
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	ST MICROELECTRONICS SEMI
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	СИНГАПУР
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	ST1
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	ST MICROELECTRO
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	---
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	STMICROELECTR
TDA2822M	ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В	4-7 НЕДЕЛЬ	375
КВ139А			254	18.50
КВ139А		ДНЕПР