BSS138W

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
BSS138W	46 800	1.34
BSS138W (FAIRCHILD.)	1 996	3-4 недели Цена по запросу
BSS138W (ONS)	18 190	9.51
BSS138W (SHIKUES)	6 261	3.12
BSS138W (YJ)	284 028	1.28
BSS138W (HOTTECH)	1 440	1.86
BSS138W (YANGZHOU YANGJIE)	13 906	3.27

Версия для печати

Технические характеристики BSS138W

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	SIPMOS®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5 Ohm @ 200mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	280mA
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 26µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	1.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	43pF @ 25V
Power - Max	500mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SOT-323
Корпус	PG-SOT323-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BSS138W (MOSFET)

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Производитель:
Diodes Incorporated

BSS138W datasheet
137.9 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0805-NP0-2.2PF +/-0.25PF 50V	Керамический конденсатор 2.2пФ, 50 В, NP0, 0805		64	1.20
B82721K2362N1		EPCOS Inc
B82721K2362N1		EPCOS
B82721K2362N1
B82721K2362N1		TDK
B82721K2362N1		TDK-EPC
FDN302P		FAIR
FDN302P		FSC
FDN302P		Fairchild Semiconductor
FDN302P		МЕКСИКА
FDN302P		FAIRCHILD	49
FDN302P		ФИЛИППИНЫ
FDN302P			9 200	3.43
FDN302P		ONS	1 328	41.31
FDN302P		ONS-FAIR
RC0805FR-0712K4L		YAGEO	483 253	0.55 >1000 шт. 0.11
RC0805FR-0712K4L		YAGEO
RC0805FR-0712K4L
RC0805FR-0749R9L		YAGEO	475 512	0.55 >1000 шт. 0.11
RC0805FR-0749R9L				1.40
RC0805FR-0749R9L		YAGEO