FDN302P

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
FDN302P	9 200	3.43
FDN302P (FAIRCHILD.)	49	3-4 недели Цена по запросу
FDN302P (ONS)	1 728	40.44

Версия для печати

Технические характеристики FDN302P

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PowerTrench®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.4A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	14nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	882pF @ 10V
Power - Max	460mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	3-SSOT
Product Change Notification	Mold Compound Change 07/Dec/2007 Wire Bonding Change 07/Nov/2008 Mol

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0805-NP0-2.2PF +/-0.25PF 50V	Керамический конденсатор 2.2пФ, 50 В, NP0, 0805		64	1.20
B82721K2362N1		EPCOS Inc
B82721K2362N1		EPCOS
B82721K2362N1
B82721K2362N1		TDK
B82721K2362N1		TDK-EPC
BSS138W	N-channel enhancement mode field effect transistor	DIODES
BSS138W	N-channel enhancement mode field effect transistor	FAIRCHILD	1 996
BSS138W	N-channel enhancement mode field effect transistor		46 800	1.34
BSS138W	N-channel enhancement mode field effect transistor	ONS	18 190	9.29
BSS138W	N-channel enhancement mode field effect transistor	ONS-FAIR
BSS138W	N-channel enhancement mode field effect transistor	SHIKUES	6 261	3.19
BSS138W	N-channel enhancement mode field effect transistor	YJ	313 164	1.43
BSS138W	N-channel enhancement mode field effect transistor	HOTTECH	2 400	1.84
RC0805FR-0712K4L		YAGEO	503 251	0.75 >1000 шт. 0.15
RC0805FR-0712K4L		YAGEO
RC0805FR-0712K4L
RC0805FR-0749R9L		YAGEO	560 305	0.65 >1000 шт. 0.13
RC0805FR-0749R9L				1.40
RC0805FR-0749R9L		YAGEO