|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип усилителя | General Purpose |
| Число каналов | 1 |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 0.5 V/µs |
| Полоса пропускания | 1MHz |
| Ток - входного смещения | 70nA |
| Напряжение входного смещения | 2000µV |
| Ток выходной | 1.8mA |
| Ток выходной / канал | 30mA |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | ±5 V ~ 20 V |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Корпус | 8-DIP |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1N5337BG | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| 1N5337BG | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| 1N5337BG | ONS |
|
|
|||||
| 1N5337BG | 80 | 37.00 | ||||||
|
|
|
IRFPG50PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (1000V, 6.1A, 190W, 2.0R) | VISHAY | 344 | 227.30 | |
|
|
|
IRFPG50PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (1000V, 6.1A, 190W, 2.0R) | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRFPG50PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (1000V, 6.1A, 190W, 2.0R) | VISHAY/IR |
|
|
|
|
|
|
IRFPG50PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (1000V, 6.1A, 190W, 2.0R) |
|
|
||
|
|
|
IRFPG50PBF |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (1000V, 6.1A, 190W, 2.0R) | 1 |
|
|
|
| MCT5211 | QT OPTOELECTRONICS |
|
|
|||||
| MCT5211 | FAIR |
|
|
|||||
| MCT5211 | 1 | 504.00 | ||||||
| MCT5211 | FAIRCHILD | 80 | 94.48 | |||||
| MCT5211 | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| MCT5211 | QT OPTOELECTRONICS | 72 |
|
|||||
| MCT5211 | Fairchild Optoelectronics Group |
|
|
|||||
| MCT5211 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 28 |
|
|||||
| RX27-1 5.1 КОМ 25W 5% / SQP25 |
|
|
||||||
| TL081BCP |
|
1xOP JFET +-18V 13V/us |
|
34.00 | ||||
| TL081BCP |
|
1xOP JFET +-18V 13V/us | TEXAS INSTRUMENTS | 46 | 84.80 | |||
| TL081BCP |
|
1xOP JFET +-18V 13V/us | 4-7 НЕДЕЛЬ | 612 |
|