IRFPG50PBF
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (1000V, 6.1A, 190W, 2.0R)
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 3.6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.1A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 190nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2800pF @ 25V |
| Power - Max | 190W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | TO-247-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFPG50PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
3296W 5K |
|
Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный | 481 | 14.04 | ||
|
|
|
3296W 5K |
|
Резистор переменный подстроечный непроволочный многооборотный | RUICHI | 325 | 19.75 | |
 |
|
3306P-1-501 |
|
Bourns Inc |
|
|
||
|
|
|
3306P-1-501 |
|
BOURNS |
|
|
||
|
|
|
3306P-1-501 |
|
|
|
|||
| RX27-1 1 КОМ 25W 5% / SQP25 |
|
|
||||||
| RX27-1 5.1 КОМ 25W 5% / SQP25 |
|
|
||||||
| UA748CN | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| UA748CN | ST MICROELECTRONICS SEMI | 312 |
|
|||||
| UA748CN |
|
|
||||||
| UA748CN | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| UA748CN | 4-7 НЕДЕЛЬ | 36 |
|
