TS12A12511DCNR
|
IC SWITCH SGL SPDT ANLG SOT23-8 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Функция | Switch |
| Каналы | 1 x SPDT |
| Сопротивление (On-State) | 5 Ohm |
| Напряжение питания источника | Single, Dual Supply |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 2.7 V ~ 12 V, ± 2.7 V ~ 6 V |
| Ток выходной | 70nA |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOT-23-8 |
| Корпус | SOT-23-8 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
74AUP1G0832GW,125 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
| G1901G | GAINTA | 12 166 | 86.06 | |||||
| G1901G |
|
|
||||||
 |
|
M25P64-VMF6P |
|
ИМС памяти Flash 64МВ, SPI | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
M25P64-VMF6P |
|
ИМС памяти Flash 64МВ, SPI |
|
404.00 | ||
|
|
|
M25P64-VMF6P |
|
ИМС памяти Flash 64МВ, SPI | MICRON |
|
|
|
|
|
|
M25P64-VMF6P |
|
ИМС памяти Flash 64МВ, SPI | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
M25P64-VMF6P |
|
ИМС памяти Flash 64МВ, SPI | Numonyx - A DIVISION OF MICRON SEMICONDUCTOR PRODUCTS, INC |
|
|
|
|
|
|
M25P64-VMF6P |
|
ИМС памяти Flash 64МВ, SPI | NUMONYX |
|
|
|
|
|
|
M25P64-VMF6P |
|
ИМС памяти Flash 64МВ, SPI | ФИЛИППИНЫ |
|
|
|
|
|
|
M25P64-VMF6P |
|
ИМС памяти Flash 64МВ, SPI | 4-7 НЕДЕЛЬ | 248 |
|
|
 |
|
PCA8565TS/1,118 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
PCA8565TS/1,118 |
|
NXP |
|
|
||
|
|
|
PCA8565TS/1,118 |
|
|
|
|||
| TPS77025DBVR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TPS77025DBVR |
|
245.52 | ||||||
| TPS77025DBVR | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TPS77025DBVR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 368 |
|
