Версия для печати

TDA8358J (Видео-усилители) Full bridge vertical deflection output circuit in LVDMOS with east-west amplifier Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com TDA8358J datasheet 113.57Kb 20стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ERS16В-330МКФ			HITANO
		K9F5608U0D-PIB0		32Mx8 NAND Flash memory, U=2.7..3.6V	SAMSUNG
		K9F5608U0D-PIB0		32Mx8 NAND Flash memory, U=2.7..3.6V	SAM
		K9F5608U0D-PIB0		32Mx8 NAND Flash memory, U=2.7..3.6V			482.04
		K9F5608U0D-PIB0		32Mx8 NAND Flash memory, U=2.7..3.6V	SAMSUNG
		K9F5608U0D-PIB0		32Mx8 NAND Flash memory, U=2.7..3.6V	КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
		K9F5608U0D-PIB0		32Mx8 NAND Flash memory, U=2.7..3.6V	4-7 НЕДЕЛЬ	472
		MF-2-2.0M 5%		Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический	CHINA
		MF-2-2.0M 5%		Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический			3.36
		SH250M4R70B5S-1012		Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 250 В	YAGEO
		SH250M4R70B5S-1012		Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 250 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SH250M4R70B5S-1012		Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 250 В
		КТ819ГМ		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	КРЕМНИЙ	8	204.12
		КТ819ГМ		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN		255	253.92
		КТ819ГМ		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	БРЯНСК	488	273.00
		КТ819ГМ		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	ЭЛЕКТРОПРИБОР
		КТ819ГМ		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	ФРЯЗИНО
		КТ819ГМ		Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"