Версия для печати
Технические характеристики ST7FLITE09Y0B6

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	ST7
Процессор	ST7
Размер ядра	8-Bit
Скорость	8MHz
Подключения	SPI
Периферия	LVD, POR, PWM, WDT
Число вводов/выводов	13
Размер программируемой памяти	1.5KB (1.5K x 8)
Тип программируемой памяти	FLASH
EEPROM Size	128 x 8
Размер памяти	128 x 8
Напряжение источника (Vcc/Vdd)	2.4 V ~ 5.5 V
Преобразователи данных	A/D 5x8b
Тип осцилятора	Internal
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Корпус (размер)	16-DIP (0.300", 7.62mm)

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Микроконтроллеры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AP8263E6
		AP8263E6
		AP8263E6			CHIPOWN
		AP8263E6			AIT
		AP8263E6			4-7 НЕДЕЛЬ	146
		FQPF10N60C		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	FAIR
		FQPF10N60C		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	FSC
		FQPF10N60C		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	FAIRCHILD
		FQPF10N60C		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)			130.80
		FQPF10N60C		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	FAIRCHILD
		FQPF10N60C		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	Fairchild Semiconductor
		FQPF10N60C		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	США
		FQPF10N60C		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		FQPF10N60C		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	FSC1
		FQPF10N60C		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	ONS-FAIR
		FQPF10N60C		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)	ONS
		KNP100JR-73-1R			Yageo	7 218	2.20
		LTV817A		DIP4	LITE-ON
		LTV817A		DIP4	LIT
		LTV817A		DIP4		49	34.02
		LTV817A		DIP4	КИТАЙ
		LTV817A		DIP4	ТАИЛАНД
		LTV817A		DIP4
		ВП1-2 2А				672	31.98
		ВП1-2 2А			РАДИОДЕТАЛЬ	1 387	33.88

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"