| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NXP
|
1 036
|
1.79
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
400
|
5.47
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
43 570
|
1.59
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
|
95 948
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
WTE
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
107 362
|
1.25
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
14 586
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NXP
|
9 216
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
626
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
DIODES INC.
|
1 126
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
80
|
1.50
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NEXPERIA
|
1 291
|
1.22
>100 шт. 0.61
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
41 064
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
SEMTECH
|
5
|
2.32
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YJ
|
103 949
|
1.03
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
100 800
|
1.13
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YOUTAI
|
64 174
|
1.35
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
JSCJ
|
99 351
|
1.92
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ASEMI
|
58
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
9 276
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NXP(PHILIPS)
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ZITEK
|
16 800
|
1.43
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
1296
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
21000
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
HEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
1231
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
5891
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
RUME
|
36 000
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
TRR
|
120 000
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
|
PMEG2020AEA |
|
SCHOTTKY RECT 20V 2A
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
PMEG2020AEA |
|
SCHOTTKY RECT 20V 2A
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
PMEG2020AEA |
|
SCHOTTKY RECT 20V 2A
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
PMEG2020AEA |
|
SCHOTTKY RECT 20V 2A
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
PMEG2020AEA |
|
SCHOTTKY RECT 20V 2A
|
|
|
|
|
|
|
|
SN74LVC00AD |
|
Quad 2Inp NAND Gate SO14
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
144
|
21.70
|
|
|
|
|
SN74LVC00AD |
|
Quad 2Inp NAND Gate SO14
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
SN74LVC00AD |
|
Quad 2Inp NAND Gate SO14
|
|
|
|
|
|
|
|
SN74LVC00AD |
|
Quad 2Inp NAND Gate SO14
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
SN74LVC00AD |
|
Quad 2Inp NAND Gate SO14
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
669
|
|
|
|
|
|
SN74LVC02AD |
|
Quad 2Inp NOR Gate SO14
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
1
|
34.87
|
|
|
|
|
SN74LVC02AD |
|
Quad 2Inp NOR Gate SO14
|
|
164
|
18.50
|
|
|
|
|
SN74LVC02AD |
|
Quad 2Inp NOR Gate SO14
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
9
|
|
|
|
|
|
SN74LVC02AD |
|
Quad 2Inp NOR Gate SO14
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
SN74LVC02AD |
|
Quad 2Inp NOR Gate SO14
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
446
|
|
|
|
|
|
SN74LVC02AD |
|
Quad 2Inp NOR Gate SO14
|
1
|
|
|
|
|
|
|
SN74LVC138AD |
|
Стандартная логика 3 TO 8 LINE-DECODER/DEMULTIPLEXER:INV Демультиплексор 3->8 ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
SN74LVC138AD |
|
Стандартная логика 3 TO 8 LINE-DECODER/DEMULTIPLEXER:INV Демультиплексор 3->8 ...
|
|
|
|
|
|
|
|
SN74LVC138AD |
|
Стандартная логика 3 TO 8 LINE-DECODER/DEMULTIPLEXER:INV Демультиплексор 3->8 ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
SN74LVC138AD |
|
Стандартная логика 3 TO 8 LINE-DECODER/DEMULTIPLEXER:INV Демультиплексор 3->8 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
596
|
|
|