|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
139 200
|
2.10
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
|
|
4.00
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONS
|
25 433
|
3.78
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2 533
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
VBSEMI
|
4 756
|
3.75
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONSEMI
|
136
|
1.32
|
|
|
|
7805ABD2T |
|
Стабилизатор напряжения линейный, +5V 1.0A 4% 0..+125C
|
|
|
14.24
|
|
|
|
7805ABD2T |
|
Стабилизатор напряжения линейный, +5V 1.0A 4% 0..+125C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
516
|
|
|
|
|
CD4050BDR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4050BDR |
|
|
|
|
26.00
|
|
|
|
CD4050BDR |
|
|
TEXAS
|
571
|
32.60
|
|
|
|
CD4050BDR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
664
|
|
|
|
|
CNY65EXI |
|
Оптрон 11кВ 32В CTR50-300%
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
CNY65EXI |
|
Оптрон 11кВ 32В CTR50-300%
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
CNY65EXI |
|
Оптрон 11кВ 32В CTR50-300%
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
DC COMPONENTS
|
21 068
|
4.51
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
MCC
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
LITTELFUSE
|
384
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
|
14 800
|
3.00
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
LTL
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
MICROSEMI
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
TSC
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
BRIGHTKING
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
WAYON
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
JJM
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
HOTTECH
|
30 908
|
4.38
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
YJ
|
54 477
|
3.29
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
1
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
OLITECH
|
667
|
3.52
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
SUNTAN
|
496
|
5.91
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
TRR
|
11 600
|
2.51
|
|