|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
FDS4410 |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FDS4410 |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FDS4410 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FDS4410 |
|
|
|
|
116.00
|
|
|
|
FDS4410 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FDS4410 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FDS4410 |
|
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
FDS4410 |
|
|
A&O
|
|
|
|
|
|
FDS4410 |
|
|
ONS
|
150
|
49.80
|
|
|
|
FDS4410 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
498
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
|
|
174.00
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
FDS4435 |
|
Транзистор MOSFET, P, 30В, 8,8А, 2,5Вт
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
214
|
|
|
|
|
PC3H7 |
|
Фототранзисторный оптрон общего назначения в корпусе mini-flat-4 с полушагом
|
|
|
68.16
|
|
|
|
PC3H7 |
|
Фототранзисторный оптрон общего назначения в корпусе mini-flat-4 с полушагом
|
Sharp Microelectronics
|
|
|
|
|
|
PC3H7 |
|
Фототранзисторный оптрон общего назначения в корпусе mini-flat-4 с полушагом
|
SHARP
|
12
|
60.26
|
|
|
|
PC3H7 |
|
Фототранзисторный оптрон общего назначения в корпусе mini-flat-4 с полушагом
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
741
|
|
|
|
|
SN65LVDS1DBV |
|
|
|
|
278.40
|
|
|
|
SN65LVDS1DBV |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
8
|
105.84
|
|
|
|
SN65LVDS1DBV |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
4
|
|
|
|
|
SN65LVDS1DBV |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
101
|
|
|
|
|
SN65LVDS1DBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
75
|
134.32
|
|
|
|
SN65LVDS1DBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
110
|
|
|
|
|
SN65LVDS1DBVR |
|
|
TEXAS
|
2 200
|
154.06
|
|
|
|
SN65LVDS1DBVR |
|
|
|
|
|
|
|
|
SN65LVDS1DBVR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
120
|
|
|