| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
LITE-ON
|
14
|
12.54
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
LIT
|
2 100
|
9.41
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
Lite-On Inc
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
EVLT
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
EVERLIGH
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
EVERLIGHT
|
298
|
13.03
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
|
83
|
40.32
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
CT-MICRO
|
5 273
|
9.02
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
0.00
|
|
|
|
|
|
4N25 |
|
Микросхема — опто транзистор 1-канальный, Uiso=7,5kV, Uceo=100V, CurTr(min)=20%20mA
|
1
|
|
|
|
|
|
|
ADR421BRZ |
|
ИОН на 2.500В SOIC8
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ADR421BRZ |
|
ИОН на 2.500В SOIC8
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
ADR421BRZ |
|
ИОН на 2.500В SOIC8
|
|
1
|
1 500.66
|
|
|
|
|
ADR421BRZ |
|
ИОН на 2.500В SOIC8
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
ADR421BRZ |
|
ИОН на 2.500В SOIC8
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ADR421BRZ |
|
ИОН на 2.500В SOIC8
|
США
|
|
|
|
|
|
|
ADR421BRZ |
|
ИОН на 2.500В SOIC8
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
ADR421BRZ |
|
ИОН на 2.500В SOIC8
|
1
|
|
|
|
|
|
|
ADR421BRZ |
|
ИОН на 2.500В SOIC8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
780
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
|
6 716
|
101.12
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
MAX
|
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
MAX/DALL
|
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
MAXIM INTEGR
|
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
YOUTAI
|
27 535
|
61.82
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
UMW
|
4 400
|
56.83
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
MSKSEMI
|
19 647
|
40.97
|
|
|
|
DS18B20 |
|
Датчик температуры 9-12 бит интерфейс MicroLAN, точность 0,5°С
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
741
|
|
|
|
|
|
DTSM-66K-V-B |
|
|
DPT
|
|
|
|
|
|
|
DTSM-66K-V-B |
|
|
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
4
|
261.57
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
|
24
|
89.66
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
INTRESIL
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
IR/VISHAY
|
8
|
225.09
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFP450 |
|
Транзистор полевой N-MOS 500V, 14A, 190W
|
HXY
|
|
|
|