| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
LM-NP-1001-B1L |
|
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
LM-NP-1001-B1L |
|
|
|
|
316.80
|
|
|
|
LM7812CT |
|
Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
LM7812CT |
|
Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%
|
|
6
|
102.06
|
|
|
|
LM7812CT |
|
Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM7812CT |
|
Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM7812CT |
|
Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM7812CT |
|
Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%
|
FSC
|
|
|
|
|
|
LM7812CT |
|
Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%
|
ONS
|
|
|
|
|
|
LM7812CT |
|
Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
LM7812CT |
|
Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%
|
ISC
|
70
|
46.89
|
|
|
|
LM7812CT |
|
Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%
|
HGSEMI
|
760
|
32.56
|
|
|
|
LM7812CT |
|
Линейный СН (1A, 12V, -40°C ~ 125°C, 14.5 ~ 27 V, 1 2,4A ) точность вых напр ±2%
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
LM7905C |
|
Трехвыводные стабилизаторы отрицательного напряжения
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM7905C |
|
Трехвыводные стабилизаторы отрицательного напряжения
|
|
|
|
|
|
|
LM7905C |
|
Трехвыводные стабилизаторы отрицательного напряжения
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
24.99
|
|
|
|
|
К10-17А-М47В-910ПФ5% |
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
|
20.40
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
7 030
|
33.48
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
1154
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2000
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2276
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2380
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
3398
|
|
|
|