Версия для печати
Технические характеристики LM567CN

Корпус	8-MDIP
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Мощность (Ватт)	1.10W
Ток выходной	12mA
Число каналов	1
Напряжение питания	4.75 V ~ 9 V
Функция	Tone Decoder
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

LM567C (Ресиверы (приемники)) Tone Decoder Также в этом файле: LM567CN Производитель: National Semiconductor //www.national.com LM567CN datasheet 299.4Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Интерфейсы

 » 

Телекоммуникационные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BT137-600		Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)	NXP
		BT137-600		Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)	PHILIPS
		BT137-600		Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)			65.24
		BT137-600		Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)	PHILIPS
		BT137-600		Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)	NXP
		BT137-600		Симистор (Vr=600V, It=8A, -40 to +125C)	ФИЛИППИНЫ
		АОУ163А			ПРОТОН	699	148.40
		АОУ163А				16	110.40
		АОУ163А			ИЗЛУЧАТЕЛЬ
		АОУ163А			ПРОТОН
		АОУ163А			126
		АОУ163А			40
		АОУ163А			500
		АОУ163А			8
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...			32.80
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ЗПП
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	АЗОН
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ВИННИЦА
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	МИНСК	40	42.40
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ЗПП МИНСК
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	БИЛЛУР
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ПАВЛОВ ПОСАД
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ИНТЕГРАЛ
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	МИОН
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	НОВОСИБИРСК
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	RUS
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ЭКСИТОН
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	АНГСТРЕМ
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	БИЛУР
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	РОССИЯ
		К561ЛЕ5		4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ОКТЯБРЬ	392	96.09
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...		3 719	29.44
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	МИНСК	12 506	33.92
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	ЗПП МИНСК
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	RUS
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	ИНТЕГРАЛ
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	ИНТЕГРАЛ-С
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	1058
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	14555
		КП501А		Кремниевый полевой N-канальный транзистор средней мощности с изолированным затвором и ...	3000
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...		2 008	12.88
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	КРЕМНИЙ	537	12.49
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	СВЕТЛАНА
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	МИНСК
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	РИГА
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	БРЯНСК	5 048	13.14
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	RUS
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ3107А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 50В,100мА, ...	6666

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"