Версия для печати
Технические характеристики NE5534AD

Корпус	8-SOIC
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	10 V ~ 30 V, ±5 V ~ 15 V
Ток выходной / канал	38mA
Ток выходной	4mA
Напряжение входного смещения	500µV
Ток - входного смещения	500nA
Полоса пропускания	10MHz
Скорость нарастания выходного напряжения	13 V/µs
Число каналов	1
Тип усилителя	General Purpose
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

NE5534A LOW-NOISE OPERATIONAL AMPLIFIERS Также в этом файле: NE5534AD, NE5534ADR Производитель: Texas Instruments //www.ti.com NE5534AD datasheet 312.04Kb 15стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		74HC4066D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Ключ аналоговый х 4	FAIR
		74HC4066D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Ключ аналоговый х 4	NXP
		74HC4066D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Ключ аналоговый х 4			19.44
		74HC4066D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Ключ аналоговый х 4	PHILIPS
		74HC4066D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Ключ аналоговый х 4	ST MICROELECTRONICS
		74HC4066D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Ключ аналоговый х 4	PHILIPS	704
		74HC4066D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Ключ аналоговый х 4	КИТАЙ
		74HC4066D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Ключ аналоговый х 4	NXP	278
		74HC4066D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Ключ аналоговый х 4	FULIHAO TECH	600	25.83
		74HC4066D		Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Ключ аналоговый х 4	4-7 НЕДЕЛЬ	269
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		2	44.10
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	10 497	21.34
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	844	10.26
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	10 756	8.23
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	NXP	560	3.55
		IRLML6401TR		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6401TR		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А			20.24
		IRLML6401TR		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6401TR		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INFINEON
		IRLML6401TR		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HOTTECH
		IRLML6401TR		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	VBSEMI
		IRLML6401TR		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	TECH PUB
		IRLML6401TR		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	TRR
		IRLML6401TR		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	YOUTAI	95 476	1.59
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRONICS
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	TEXAS INSTRUMENTS
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	UTC
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS		765	29.81
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	STMicroelectronics
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	TEXAS INSTRUMENTS
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	МАЛАЙЗИЯ
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTR
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	TEXAS INSTR
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	TEXAS	320	47.99
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRO
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	TEXAS INSTRUMEN
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	1
		TL074CN		Операционный усилитель счетвеpенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	4-7 НЕДЕЛЬ	766
		ПРОКЛАДКА (СЛЮДА) 3550 ММ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"