Версия для печати
Технические характеристики DEBB33A102KA2B

Производитель	Murata Manufacturing Co., Ltd.
Температурный коэфициент	B
Допуск емкости	±10%
Номинальное постоянное напряжение	1 кВ
Тип диэлектрика	B
Номинальное напряжение	1 кВ
Рабочая температура	-25...85 °C
	High Voltage Ceramic Cap.(250V-6.3kV)
Емкость	1000 пФ
Серия	DEB
Корпус (размер)	Radial
Тип монтажа	Выводной
Тип	Керамический
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Допустимые отклонения емкости	±10%
Tolerance	±10%
Рабочая температура	-25°C ~ 85°C
Сфера применения	General Purpose
Size / Dimension	0.236" Dia (6.00mm)
Высота	0.354" (9.00mm)
Lead Spacing	0.197" (5.00mm)
Возможности	High Voltage
Lead Style	Flat Bent

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Керамический

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...		79 527	1.07
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	UTC
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	INFINEON
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIRCHILD
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIRCHILD	2 248
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	OTHER
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	Fairchild Semiconductor
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	КИТАЙ
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	DI
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ONS
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FSC
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	DIODES
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ONSEMICONDUCTOR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ONS-FAIR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	LRC
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ON SEMICONDUCTOR	256
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	KLS
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	PANJIT	1	2.65
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YJ	325 858	1.21
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YANGJIE
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YANGJIE (YJ)
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	HOTTECH	297 242	1.67
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	SIKOR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	JANGJIE
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	JSCJ	29 340	1.46
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YOUTAI	18 987	1.15
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	SUNTAN	71 732	1.45
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	SHIKUES	3 824	2.25
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	EVVO	18 052	1.02
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	ZETEX
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	FAIR
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	NXP
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)		8 080	1.21
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	PHILIPS
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	FAIRCHILD
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	FAIRCHILD	188
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	OTHER
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	PHILIPS	164
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	ZETEX
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	NXP	139
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	Fairchild Semiconductor
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	FSC
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	ON SEMI/FAIRCH
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	ONSEMICONDUCTOR
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	ONS
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	ONS-FAIR
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	LRC
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	YJ	212 352	1.34
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	YANGJIE
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	YANGJIE (YJ)
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	YOUTAI	57 131	2.32
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	HOTTECH	17 309	1.75
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	GALAXY ME	6 778	4.43
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	KLS
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	UMW	8 800	2.07
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	UMW-YOUTAI
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	SUNTAN	208	2.39
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	SHIKUES	6 460	2.03
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	LGE	464	2.13
		BSS84		Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)	XSEMI	5 832	1.69
		LM2904		Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель, T = -40 … +105°C	ST MICROELECTRONICS
		LM2904		Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель, T = -40 … +105°C
		LM2904		Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель, T = -40 … +105°C	КИТАЙ
		MUR1100E		UFAST диод 1А 1000В	VISHAY
		MUR1100E		UFAST диод 1А 1000В	ON SEMICONDUCTOR
		MUR1100E		UFAST диод 1А 1000В			26.88
		MUR1100E		UFAST диод 1А 1000В	MOTOROLA	20
		MUR1100E		UFAST диод 1А 1000В	ON SEMICONDUCTOR	16
		MUR1100E		UFAST диод 1А 1000В	ONSEMI	129	2.88
		Y5V-0.22UF +80%-20% 50V		Керамический конденсатор 0.22мкФ, 50 В	SUNTAN
		Y5V-0.22UF +80%-20% 50V		Керамический конденсатор 0.22мкФ, 50 В		8	2.04

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"