MIP2K4OMS

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MIP2K4OMS (4-7 НЕДЕЛЬ)	466	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
DM0265R	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт	FAIR
DM0265R	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт			134.00
DM0265R	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт	1
DM0265R	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт	4-7 НЕДЕЛЬ	622
FSQ0365RLX		Fairchild Semiconductor
FSQ0365RLX		FAIRCHILD
FSQ0365RLX
FSQ0365RLX		4-7 НЕДЕЛЬ	393
IRFP250N	Транзистор полевой	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP250N	Транзистор полевой	RECTIFIER
IRFP250N	Транзистор полевой		468	71.85
IRFP250N	Транзистор полевой	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP250N	Транзистор полевой	МЕКСИКА
IRFP250N	Транзистор полевой	INFINEON
IRFP250N	Транзистор полевой	JSMICRO	304	51.56
IRG4PC50FD	Транзистор IGBT модуль единичный	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRG4PC50FD	Транзистор IGBT модуль единичный		1	351.50
IRG4PC50FD	Транзистор IGBT модуль единичный	МЕКСИКА
IRG4PC50FD	Транзистор IGBT модуль единичный	INFINEON
TDA7377	УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB	ST MICROELECTRONICS
TDA7377	УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB			272.00
TDA7377	УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB	ST MICROELECTRONICS SEMI
TDA7377	УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB	ГЕРМАНИЯ
TDA7377	УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB	ST1
TDA7377	УНЧ 4x6W, 2x20W BTL (14.4V/4 Ом), max 2x35W, Gv=26dB	4-7 НЕДЕЛЬ	186