| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
DC COMPONENTS
|
88 452
|
1.27
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
DIOTEC
|
4 510
|
1.62
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MIC
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
NXP
|
5 698
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
|
63 340
|
1.44
>100 шт. 0.72
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YJ
|
2 528
|
1.06
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
SUNTAN
|
344
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
MIG
|
7 920
|
1.06
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
PANJIT
|
22
|
1.21
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
ЛЕНТА/КАТУШКА
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
WUXI XUYANG
|
4 099
|
1.03
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
SEMTECH
|
16 099
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
1N4448 |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=0.2A, Ifsm=5A@t=1us)
|
6
|
1
|
0.99
>500 шт. 0.33
|
|
|
|
|
ADM1485ARZ |
|
Дифф. приёмо-передатчик, RS485/482, 30Mb/s, Uп=5В, SO-8
|
ANALOG DEVICES
|
38
|
137.80
|
|
|
|
|
ADM1485ARZ |
|
Дифф. приёмо-передатчик, RS485/482, 30Mb/s, Uп=5В, SO-8
|
|
|
204.00
|
|
|
|
|
ADM1485ARZ |
|
Дифф. приёмо-передатчик, RS485/482, 30Mb/s, Uп=5В, SO-8
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ADM1485ARZ |
|
Дифф. приёмо-передатчик, RS485/482, 30Mb/s, Uп=5В, SO-8
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
ADM1485ARZ |
|
Дифф. приёмо-передатчик, RS485/482, 30Mb/s, Uп=5В, SO-8
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
ADM1485ARZ |
|
Дифф. приёмо-передатчик, RS485/482, 30Mb/s, Uп=5В, SO-8
|
ИРЛАНДИЯ
|
|
|
|
|
|
|
ADM1485ARZ |
|
Дифф. приёмо-передатчик, RS485/482, 30Mb/s, Uп=5В, SO-8
|
AD1
|
|
|
|
|
|
|
ADM1485ARZ |
|
Дифф. приёмо-передатчик, RS485/482, 30Mb/s, Uп=5В, SO-8
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
ADM1485ARZ |
|
Дифф. приёмо-передатчик, RS485/482, 30Mb/s, Uп=5В, SO-8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
353
|
|
|
|
|
CNY17-3 |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%
|
VISHAY
|
623
|
60.96
|
|
|
|
CNY17-3 |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%
|
LIT
|
862
|
13.43
|
|
|
|
CNY17-3 |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%
|
|
|
31.48
|
|
|
|
CNY17-3 |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
CNY17-3 |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
27
|
|
|
|
|
CNY17-3 |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
CNY17-3 |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%
|
EVERLIGHT
|
2 311
|
16.96
|
|
|
|
CNY17-3 |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%
|
FAIRCHILD
|
800
|
28.89
|
|
|
|
CNY17-3 |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%
|
LITE-ON
|
40
|
19.19
|
|
|
|
CNY17-3 |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200%
|
3084
|
|
|
|
|
|
|
MC79L05ABPG |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC79L05ABPG |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MC79L05ABPG |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A
|
|
|
214.32
|
|
|
|
|
MC79L05ABPG |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
MC79L05ABPG |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
705
|
|
|
|
|
|
MC79L05ABPG |
|
Стабилизатор напряжения -5V 0,1A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
256
|
|
|
|
|
TIP50 |
|
Транзистор S-N 400В 1A S-L
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
TIP50 |
|
Транзистор S-N 400В 1A S-L
|
|
1
|
75.60
|
|
|
|
TIP50 |
|
Транзистор S-N 400В 1A S-L
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
TIP50 |
|
Транзистор S-N 400В 1A S-L
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
TIP50 |
|
Транзистор S-N 400В 1A S-L
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP50 |
|
Транзистор S-N 400В 1A S-L
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TIP50 |
|
Транзистор S-N 400В 1A S-L
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP50 |
|
Транзистор S-N 400В 1A S-L
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
TIP50 |
|
Транзистор S-N 400В 1A S-L
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TIP50 |
|
Транзистор S-N 400В 1A S-L
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|