|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-SO |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 105°C |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 1.8 V ~ 12 V, ±0.9 V ~ 6 V |
| Ток выходной / канал | 80mA |
| Ток выходной | 1.125mA |
| Напряжение входного смещения | 6000µV |
| Ток - входного смещения | 80nA |
| Полоса пропускания | 2.2MHz |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 1 V/µs |
| Тип выхода | Rail-to-Rail |
| Число каналов | 1 |
| Тип усилителя | General Purpose |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
|
MC33201 Low Voltage, Rail-to-Rail Operational Amplifiers Также в этом файле: MC33201D, MC33201DR2
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DEBB33A102KA2B |
|
Керамический конденсатор 1000 пФ 1 кВ | MUR |
|
|
|||
| DEBB33A102KA2B |
|
Керамический конденсатор 1000 пФ 1 кВ | Murata Electronics North America |
|
|
|||
| DEBB33A102KA2B |
|
Керамический конденсатор 1000 пФ 1 кВ |
|
|
||||
| DEBB33A102KA2B |
|
Керамический конденсатор 1000 пФ 1 кВ | MURATA |
|
|
|||
|
|
MUR1100E |
|
UFAST диод 1А 1000В | VISHAY |
|
|
||
|
|
MUR1100E |
|
UFAST диод 1А 1000В | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
MUR1100E |
|
UFAST диод 1А 1000В |
|
26.88 | |||
|
|
MUR1100E |
|
UFAST диод 1А 1000В | MOTOROLA | 20 |
|
||
|
|
MUR1100E |
|
UFAST диод 1А 1000В | ON SEMICONDUCTOR | 16 |
|
||
|
|
MUR1100E |
|
UFAST диод 1А 1000В | ONSEMI | 128 | 2.88 | ||
| NP0-1000PF 5% 50V |
|
Керамический конденсатор 1000 пФ 50 В | KEMET |
|
|
|||
| NP0-1000PF 5% 50V |
|
Керамический конденсатор 1000 пФ 50 В | 23 | 2.80 | ||||
|
|
|
TAP106K035SCS |
|
AVX Corporation |
|
|
||
|
|
|
TAP106K035SCS |
|
|
|
|||
|
|
|
TAP106K035SCS |
|
AVX |
|
|
||
| Y5V-0.22UF +80%-20% 50V |
|
Керамический конденсатор 0.22мкФ, 50 В | SUNTAN |
|
|
|||
| Y5V-0.22UF +80%-20% 50V |
|
Керамический конденсатор 0.22мкФ, 50 В | 8 | 2.04 |