| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
LM2904 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель, T = -40 … +105°C
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LM2904 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель, T = -40 … +105°C
|
|
|
|
|
|
|
LM2904 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель, T = -40 … +105°C
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MBR1635 |
|
Диод Шоттки (U=35V, I=16A, Vf=0.63V@I=16A&T=25C, Vf=0.57V@I=16A&T=125C, -65 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
MBR1635 |
|
Диод Шоттки (U=35V, I=16A, Vf=0.63V@I=16A&T=25C, Vf=0.57V@I=16A&T=125C, -65 to +150C)
|
|
|
|
|
|
|
MBR1635 |
|
Диод Шоттки (U=35V, I=16A, Vf=0.63V@I=16A&T=25C, Vf=0.57V@I=16A&T=125C, -65 to +150C)
|
ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
MBR1635 |
|
Диод Шоттки (U=35V, I=16A, Vf=0.63V@I=16A&T=25C, Vf=0.57V@I=16A&T=125C, -65 to +150C)
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
MBR1635 |
|
Диод Шоттки (U=35V, I=16A, Vf=0.63V@I=16A&T=25C, Vf=0.57V@I=16A&T=125C, -65 to +150C)
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
MBR1635 |
|
Диод Шоттки (U=35V, I=16A, Vf=0.63V@I=16A&T=25C, Vf=0.57V@I=16A&T=125C, -65 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
MBR1635 |
|
Диод Шоттки (U=35V, I=16A, Vf=0.63V@I=16A&T=25C, Vf=0.57V@I=16A&T=125C, -65 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MBR1635 |
|
Диод Шоттки (U=35V, I=16A, Vf=0.63V@I=16A&T=25C, Vf=0.57V@I=16A&T=125C, -65 to +150C)
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
MBR1635 |
|
Диод Шоттки (U=35V, I=16A, Vf=0.63V@I=16A&T=25C, Vf=0.57V@I=16A&T=125C, -65 to +150C)
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MBR1635 |
|
Диод Шоттки (U=35V, I=16A, Vf=0.63V@I=16A&T=25C, Vf=0.57V@I=16A&T=125C, -65 to +150C)
|
ВЗПП
|
80
|
60.90
|
|
|
|
|
MUR1100E |
|
UFAST диод 1А 1000В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
MUR1100E |
|
UFAST диод 1А 1000В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MUR1100E |
|
UFAST диод 1А 1000В
|
|
|
26.88
|
|
|
|
|
MUR1100E |
|
UFAST диод 1А 1000В
|
MOTOROLA
|
20
|
|
|
|
|
|
MUR1100E |
|
UFAST диод 1А 1000В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
16
|
|
|
|
|
|
MUR1100E |
|
UFAST диод 1А 1000В
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
|
Y5V-0.22UF +80%-20% 50V |
|
Керамический конденсатор 0.22мкФ, 50 В
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
Y5V-0.22UF +80%-20% 50V |
|
Керамический конденсатор 0.22мкФ, 50 В
|
|
8
|
2.04
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
|
785
|
5.52
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
14.05
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ПЛАНЕТА
|
1 404
|
10.15
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
БРЯНСК
|
2 505
|
14.50
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
МИНСК
|
1 720
|
13.96
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
1
|
2.90
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
132
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
2150
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
3000
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
765
|
|
|
|
|
|
КТ209К |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...
|
1
|
|
|
|