| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
FSC
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
|
3
|
47.88
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
Lite-On Inc
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
США
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
FAIRCHILD
|
423
|
25.44
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
ONS
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
LIT
|
3 385
|
21.99
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
529
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
VISHAY
|
66
|
63.14
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
ВЗПП
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
|
560
|
26.56
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF830 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А
|
15
|
1
|
41.13
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
|
1 381
|
12.88
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
КРЕМНИЙ
|
2 201
|
11.70
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
МИНСК
|
5 520
|
14.20
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
БРЯНСК
|
19 181
|
14.20
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
16883
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
7000
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
7364
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
2671
|
1
|
8.74
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
416
|
12.88
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
540
|
12.49
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
6 916
|
12.72
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ПРОХЛАДНЫЙ
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
1 880
|
8.48
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
1728
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
2400
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
2884
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
4344
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
10
|
1
|
6.40
|
|